氧化物燒結相對簡單一些，一般的氧化鋁陶瓷、氧化鋯陶瓷，是在空氣氛圍燒結而成。

氮化物陶瓷，如氮化硅陶瓷在燒結中會與氧氣反應生產二氧化碳，所以如品質的氮化硅產品，一般要在氮氣的保護氣氛下燒結，氮化硅的燒結方式比較多，下面介紹如下：

1）反應燒結（RS）

以氮化硅陶瓷為例，反應燒結氮化硅是把Si粉或Si粉與Si3N4粉的混合后，在1200度左右通過氮氣進行預氮化，之后加工成所需產品，最后在1400度左右進行最終氮化燒結，在此過程中不需添加助燒劑，因此高溫下材料強度不會明顯降低，同時反應氮化硅具有無收縮特性，可制備形狀復雜的產品，但因制品致密度低（70%-90%），存在大量氣孔，力學性能受到較大影響；

2）常壓燒結（PLS）

常壓燒結氮化硅是以高純、超細、高α相含量的氮化硅粉末與少量助燒劑混合，通過成形、燒結等工序制備而成。在燒結過程中，α相向液溶解，之后析出β-Si3N4晶核上變為β-Si3N4，這有利于燒結過程的進行。燒結時必須通入氮氣，以抑制Si3N4的高溫分解。常壓燒結可獲得形狀復雜、性能優良的陶瓷，其缺點是燒結收宿率較大，一般為16%-26%，易使制品開裂變形。

3）重燒結（PS）

將反應燒結的Si3N4燒結坯在助燒劑存在的情況下，置于氮化硅粉末中，在高溫下重燒結，得到致密的Si3N4制品。助燒劑可在硅粉球磨時引入，也可用浸漬的方法在反應燒結后浸漬加入。由于反應燒結過程中可預加工，在重燒結過程中的收縮僅有6%-10%，所以可制備形狀復雜、性能優良的部件。

4）氣壓燒結（GPS）

氣壓燒結是把Si3N4壓坯在5-12MPa的氮氣中于1800-2100℃下進行燒結。由于氮氣壓力高，從而提高了Si3N4的分解溫度，有利于選用能形成高耐火度晶間相的助燒劑，來提高材料的高溫性能。氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近最終形狀的各種復雜形狀制品，從而可大幅度降低成本和加工費用。而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝，適用于大規模生產。

5）熱壓燒結（HP）

把氮化硅粉末與助燒劑置于石墨模具中，在高溫下單向加壓燒結。由于外加壓力提高了燒結驅動力，加快了α→β轉變及致密化速度。熱壓法可得到致密度大于95%的高強氮化硅陶瓷，材料性能高，且制造周期短。但是這種方法只能制造形狀簡單的制品，對于形狀復雜的部件加工費用高，而且由于單向加壓，組織存在擇優取向，使性能在與熱壓面平行及垂直方向有差異。

6）熱等靜壓法（HIP）

將氮化硅及助燒劑的混合物粉末封裝到金屬或玻璃包套中，抽真空后通過高壓氣體在高溫下燒結。常用的壓力為200MPa，溫度為2000℃。熱等靜壓氮化硅可達理論密度，但它工藝復雜，成本較高。近年來還發展了其他一些燒結和致密化工藝，如超高壓燒結、化學氣相沉積、爆炸成形等。